不等位电动势
不等位电动势是霍尔元件在未加磁场时,因制造工艺缺陷而在霍尔电极间产生的微小电压。它是霍尔元件最主要的零位误差源,与霍尔电动势具有相同的数量级,有时甚至超过霍尔电压。
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不等位电动势是霍尔元件在未加磁场时,因制造工艺缺陷而在霍尔电极间产生的微小电压。它是霍尔元件最主要的零位误差源,与霍尔电动势具有相同的数量级,有时甚至超过霍尔电压。
乘法类应用是霍尔传感器的三种应用模式之一,指利用霍尔电压与控制电流及外加磁场磁感应强度的乘积成正比的特性,实现乘法运算功能。
洛伦兹力是运动电荷在磁场中受到的力,是霍尔效应的直接物理原因。
电场比例性应用是霍尔传感器的三种应用模式之一,指在磁场强度恒定时,利用霍尔电压与控制电流之间具有良好的线性关系特性进行测量。典型应用是直接测量电流。
磁场比例性应用是霍尔传感器的三种应用模式之一,指在控制电流恒定时,利用霍尔电压与磁场强度之间的线性关系(B在0.5T以下线性较好)进行测量。这是霍尔传感器最广泛的应用模式。
磁敏式传感器是一类利用磁场与物质相互作用进行测量的传感器,主要包括霍尔式传感器、磁阻传感器、磁敏二极管和磁敏三极管等类型。
霍尔元件温度补偿是针对温度变化引起霍尔元件性能漂移而采取的电路设计技术。温度变化会影响霍尔元件的载流子浓度、迁移率、电阻率以及霍尔系数,导致霍尔电压和灵敏度发生变化。
霍尔效应是载流导体或半导体在垂直于电流方向的磁场中产生电位差的现象,由美国物理学家埃德温·霍尔(Edwin H. Hall)于1879年发现。由于金属材料的霍尔效应太弱,直到半导体技术发展后才得到实际应用。
霍尔灵敏度 $KH$ 是表征霍尔元件性能的关键参数,定义为在单位控制电流和单位磁感应强度下产生的霍尔电压大小。
霍尔系数 $RH$ 是表征材料霍尔效应强弱的特性参数,与载流子浓度成反比。