NPN型光敏晶体管

NPN型光敏晶体管

NPN型光敏晶体管是光敏晶体管的一种基本结构，以N型硅材料为衬底制作。其结构与普通晶体管相似，但基极做得很大以扩大光照面积，且基极往往不接引线，相当于在普通晶体管的基极和集电极之间接有光敏二极管并对电流加以放大。

NPN型光敏晶体管的工作原理分为光电转换和光电流放大两个过程。光电转换过程与一般光敏二极管相同：当集电极加上相对于发射极为正的电压时，集电结处于反向偏压。光照在基极上时，光激发产生光生电子-空穴对，在反向偏置的PN结势垒电场作用下，自由电子向集电区（N区）移动并被集电极收集，空穴流向基区（P区），形成由集电极到发射极的光电流，相当于晶体管的基极电流I_b。空穴在基区的积累提高了发射结的正向偏置，发射区的多数载流子（电子）穿过基区向集电区移动，形成集电极电流I_c，结果基极电流被集电结放大β倍。

NPN型光敏晶体管工作时，集电极电位相对于发射极为正。