P型电阻扩散工艺

P型电阻扩散工艺

定义

P型电阻扩散工艺是一种在N型硅片表面通过高温扩散硼原子形成P型导电区域的半导体工艺。在电阻式差压传感器中，它用于制作压敏电阻条，作为压力敏感元件。

作用

该工艺制造的P型电阻具有压阻效应：当硅片受到应力时，电阻率发生变化，从而改变电阻值。通过将电阻接入惠斯通电桥，可将压力引起的电阻变化转换为电压信号输出。

工程理解

• 扩散深度和浓度决定了电阻的初始值、温度系数和灵敏度。
• 压阻效应公式：$\frac{\Delta R}{R}=\pi \sigma$ 其中 $\pi$ 为压阻系数（与晶向和掺杂浓度相关），$\sigma$ 为应力。
• 实际工艺中需精确控制扩散温度（约1000-1200°C）和时间，确保电阻一致性和重复性。