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扩散硅型压阻式压力传感器

Quick Orientation

一句话看懂

扩散硅型压阻式压力传感器基于单晶硅的压阻效应,通过扩散掺杂形成电阻条,构成惠斯通电桥。当压力作用在硅膜片上时,电阻值变化,输出电压与压力成比例。具有灵敏度高、体积小、动态响应快等优点。

KNOWLEDGE2026/05/03 北京时间
原理3.24

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Knowledge Analysis

知识解析

扩散硅型压阻式压力传感器

定义

扩散硅型压阻式压力传感器是利用单晶硅材料的压阻效应,通过扩散工艺在硅膜片上形成四个压敏电阻,并连接成惠斯通电桥,将压力信号转换为电压信号输出的压力传感器。

作用

主要用于测量气体或液体的压力,广泛应用于工业自动化、汽车电子、医疗设备等领域。

工程理解

  1. 压阻效应:半导体材料(如单晶硅)在受到应力时,其电阻率发生变化。对于P型硅,电阻率变化与应力关系为:
Δρρ=πlσl+πtσt

其中,πlπt 分别为纵向和横向压阻系数,σlσt 为纵向和横向应力。

  1. 扩散工艺:在硅膜片上通过离子注入或扩散法形成P型或N型电阻条,替代传统贴片式应变片,实现一体化结构。
  2. 电桥输出:四个电阻一般对称布置在膜片应力集中区(边缘与中心),差动连接。当压力 P 作用时,膜片变形,两电阻受拉应力(阻值增大),两电阻受压应力(阻值减小)。电桥输出电压:
Uo=Ui·ΔRR

其中 ΔR/R 近似与压力成正比,因此输出线性度好。

  1. 特点:灵敏度高(约是金属应变片的50~100倍)、体积小、易于集成、动态响应频率高(可达MHz级),但受温度影响较大,常需温度补偿。

Knowledge Check

测试

基础测试

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选择题

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选择题

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选择题

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Knowledge Relation

知识关联

直接看这张知识卡在课程链路里的前置、当前与后置关系。

前置

当前知识点扩散硅型压阻式压力传感器

扩散硅型压阻式压力传感器基于单晶硅的压阻效应,通过扩散掺杂形成电阻条,构成惠斯通电桥。当压力作用在硅膜片上时,电阻值变化,输出电压与压力成比例。具有灵敏度高、体积小、动态响应快等优点。

后置